从美国芯片法案谈美欧亚多角半导体战方兴未艾
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法意半导体STMicroelectronics在瑞士日内瓦附近的一座工厂(photo:RFI)美国总统拜登星期二8月9日预计签署美国芯片法案，内容是为美国半导体芯片的制造和研发提供527亿美元的补贴，和约240亿美元的投资减抵税额。以提高美国与中国在科技领域的竞争力。
据介绍，美国参众两院稍早前通过的这项《芯片与科学法案》还授权在未来10年中为美国的科学研究增添2000亿美元经费，用更多的资源与中国竞争。中国则反对美国制定这项法案，称法案反应了美国的冷战思维。而拜登总统上个月发出推文说，“中国非常密切地关注美国芯片法案是有原因的——它试图在制造这些芯片方面领先于我们并且不想被击败。”
一年多前，美国参议院就通过了该法案的第一版。该法案将向英特尔、三星电子、台积电和格罗方德等公司提供资金，让他们在美国建造芯片工厂。这之后的一年间，美国芯片制造商一直在不耐烦地催促和等待。美国半导体行业协会（SIA）也大力推动该法案的通过，宣称如果不采取任何行动，美国在全球半导体产业中的所占份额在2030年时将减少到10%。相比之下，中国的半导体制造产能将达到24%。
为美国军方和其他客户生产芯片的格罗方德（GlobalFoundries ）CEO汤姆-考尔菲尔德（Tom Caulfield）曾经表示，计划将在其位于纽约州的总部附近建造第二家工厂，但如果没有美国政府的补贴，这个项目将需要更长的时间。英特尔公司也曾经宣布：将推迟俄亥俄州芯片工厂的奠基仪式，因为芯片法案能否通过充满不确定性。
美国的格罗方德今年7月与意法半导体（STMicroelectronics）宣布进行合作，计划投资40亿欧元，在法国德克罗尔（Crolles）现有的一座12吋晶圆厂附近，兴建一座新的、共同营运的半导体制造厂，将于2026年全面投产。新厂预计僱用1000名员工，将得到法国政府大量财务支援。
格罗方德CEO考尔菲尔德当时表示，有关该工厂的谈判是在今年年初之前开始的，由于法国政府在补贴方面行动迅速，谈判大约六个月后就达成了协议。他说，如果美国的补贴法案在去年第一次尝试时就获得通过，格罗方德能会更早地推进纽约工厂的建设，而不是将注意力转向法国和扩建新加坡德工厂。
格罗方德与意法半导体（STMicroelectronics）的合资半导体工厂计划在法国总统马克龙在凡尔赛举行的第五届“选择法国”峰会上被高调宣布，也被认为是欧洲提高自己在微芯片领域独立性努力的一部分，是有助于支持欧盟委员会的一项努力，即到2030年，欧洲生产的微芯片占全球的20%。
据台湾经济专家刘佩真介绍，在经历近年车用晶片荒的教训后，国际间整合元件制造IDM业者希望能持续扩充产能，取得更多主导权。IDM厂透过与晶圆代工厂合资设厂，正可应对现在整个市场趋势变化，建立在地化供应链，符合当地政策发展。但由于晶圆代工龙头厂台积电还未决定到欧洲设厂生产，意法半导体只能跟愿意到欧洲投资的次要晶圆代工厂合作。
刘佩真还说，意法半导体与格罗方德合资设厂，应以成熟制程为主。意法半导体与台积电合作则在先进制程与第3代半导体，台积电的订单并不会遭到排挤。
