传三星、美光考虑Q1调涨DRAM价格15-20%
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传三星、美光考虑Q1调涨DRAM价格15-20%(图:shutterstock)(photo:CnYes)据半导体资讯网站引述媒体报导，包括三星电子和美光科技 (MU-US) 在内的记忆体晶片行业主要参与者，正在考虑在 2024 年第一季将 DRAM 价格上涨 15%-20%。
业界人士指出，此举主要是为了改善获利状况，其中价格上涨的重点将从 NAND Flash 转移到 DRAM，尤其是 DDR4 和 DDR5 这两种类型，本轮记忆体价格的上涨趋势，预计将持续到 2024 年底。
与 NAND Flash 此前价格飙升相反，2023 年第四季 DRAM 定价保持相对稳定。
据报导，某些储存模组制造商已收到三星关于 2024 年第一季 DRAM 价格至少上涨 15% 的通知。虽然三星没有具体说明，但 NAND Flash 预计将持续上涨。
去年 12 月，DRAM 价格上涨 2%-3%，但仍低于同月 3D TLC NAND 约 10% 的涨幅。
随着智慧型手机和伺服器的需求逐渐改善，预计 DRAM 供应将趋紧。记忆体晶片制造商目前倾向于在 2024 年上半年提高 DDR4 和 DDR5 价格，而 DDR3 产量和价格预计将保持相对稳定。
此前，摩根士丹利也在报告中说，下游客户已经开始补库存，明年第一季记忆体晶片价格有望大幅上涨，预估 DRAM 和 NAND 价格将在明年第一季上涨 20%。
摩根士丹利表示，从供需方面来看，记忆体厂商在大幅减产之后，产量远低于需求，随着需求的改善，2024 年的价格上涨前景将更加明确。
摩根士丹利认为，人工智慧需求将进一步提振储存晶片价格，虽然人工智慧应用程式大部分都部署在云端，但从 2024 年开始，边缘需求将变得越来越普遍。
