〈先进制程争霸战〉三星抢先量产3奈米 台积电拥多重优势霸主地位难撼动
-
三星宣布量产3奈米制程。(图：AFP)(photo:CnYes)三星电子今 (30) 日宣布开始量产 3 奈米晶片，成为首家导入 3 奈米 GAA(环绕闸极技术) 的公司，与台积电 (2330-TW)(TSM-US) 在先进制程上的竞争趋于白热化，不过，业界指出，GAA 架构技术复杂、价格相对高昂，台积电採用 FinFET 技术量产 3 奈米将较具竞争力，除良率外，从客户关系、生态系等各面向来看，三星短期要超车台积电，仍没有那么容易。
三星在 3 奈米制程中导入 GAA 架构，以突破 FinFET 架构性能限制，三星表示，此新世代制程通过降低电源电压来提高功率效率，同时增加驱动电流能力来提高性能，能以更小体积实现更好的功耗表现。与目前的 5 奈米晶片相较，3 奈米制程生产的晶片将减少 16% 表面积、性能提高 23%、功耗降低 45%。
虽然三星抢先台积电一步，鸣响 3 奈米制程量产第一枪，不过，业界人士指出，GAA 架构虽能更精准控制通道电流，缩小晶片面积与降低功耗，但量产难度相当高，GAA 为 4D 制程，较 3D 的 FinFET 复杂许多，且 GAA 制程价格也将较 FinFET 昂贵，三星良率问题也始终受外界质疑，后续还须观察量产良率与客户採用意愿。
台积电则预计今年下半年量产 3 奈米晶片，且採用较成熟的 FinFET 技术，2025 年量产 2 奈米制程时，才会採用 GAA 技术。业界人士认为，台积电 3 奈米沿用 FinFET 技术，主要是考量技术成熟度、成本竞争力与效能等因素，在 FinFET 生态系相对成熟下，将更具成本竞争力。
