台积电首度证实1.4奈米开发顺利 分析师:2027年有望量产

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    台积电首度提及1.4奈米制程的开发进展。(路透资料照)(photo:LTN)
    台积电首度提及1.4奈米制程的开发进展。(路透资料照)(photo:LTN)

    〔记者魏国金/台北报导〕美国科技资讯网站Tom's Hardware报导,台积电在IEEE国际电子元件会议(IEDM)未来逻辑(Future of Logic)小组上表示,台积电1.4奈米制程技术的开发进展顺利,同时强调,2奈米制程晶片的量产预计2025年实现。这是台积电首度提及1.4奈米制程的开发进展。

    报导说,SemeAnalysis分析师帕特尔(Dylan Patel)指出,台积电1.4奈米生产节点正式名称为A14。尽管目前为止台积电并未透露,计画何时开始量产A14,但基于台积电2奈米晶片(N2)预计在2025年底、N2P在2026年底量产,因此合理推论A14将在2027至2028年推出。

    对于技术方面,尽管台积电正探索垂直堆叠互补式场效电晶体(CFET)技术,但A14不太可能採用该技术,A14或许将依赖台积电第二与第三代环绕闸极场效电晶体(GAAFET)技术,与N2节点相同。

    报导说,台积电在2027至2028年A14制程技术上,是否採用高数值孔径极紫外光机(EUV),还有待进一步观察。届时英特尔以及其他晶片制造商,将採用并完善数值孔径0.55的新一代EUV,因此晶片代工厂应该相当容易使用相关设备。