三星、英特尔在2奈米制程上加速 以期追赶台积电

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    三星、英特尔在2奈米制程上加速 以期追赶台积电(图:shutterstock)(photo:CnYes)
    三星、英特尔在2奈米制程上加速 以期追赶台积电(图:shutterstock)(photo:CnYes)

    据韩媒《Businesskorea》报导,台湾台积电 (2330-TW)(TSM-US)、南韩三星与美国英特尔 (INTC-US),明年在 2 奈米晶片的竞争预计加速。

    当前最先进的量产技术是三星电子和台积电生产的 3 奈米制程。 三星于去年 6 月开始量产 3 奈米工艺,台积电则于今年初开始量产。然而,据报导,由于对初始良品率的担忧和半导体市场的低迷,3 奈米制程的市场需求并未达到预期,客户对这些高成本先进制程的需求减少。

    除了台积电独家生产苹果电脑用 M3 晶片和行动应用处理器 A17 之外,全球主要的无晶圆厂公司仍主要使用 4 奈米工艺,而非 3 奈米。

    同时,台积电的主导地位只增不减。根据市场研究公司 TrendForce 的数据,台积电在全球晶圆代工市场的占有率从 2021 年第三季的 53.1% 成长到 2023 年同期的 57.9%。相较之下,三星代工厂的市占率同期从 17.1% 降至 12.4%。

    尽管如此,英特尔和三星都更专注于先于台积电开发先进工艺,而不是立即扩大订单。他们的策略是抢占下一个市场,而不是与产业领导者进行价格竞争。尤其是英特尔,正在採取积极措施重新进入代工业务。

    英特尔计画在明年上半年量产 20A 2 奈米级产品,并在下半年开发 1.8 奈米级产品 18A。 去年 9 月,英特尔已经推出了 18A 半导体晶圆的原型。

    与此相关的是,荷兰半导体设备公司 ASML 近日在其官方社群媒体上宣布,将向英特尔交付全球首台 High-NA EUV 设备,预计将成为 2 奈米以下制程的关键工具。 去年年初,英特尔率先与 ASML 签订了该设备的合约,领先三星电子和台积电。

    三星的目标是明年开始量产改进后的第二代 3 奈米工艺,并在 2025 年上半年实现 2 奈米工艺的量产。 台积电将 2 奈米制程的量产时间定为 2025 年下半年。两家公司已分别向主要客户展示了 2 奈米原型机。