里程碑！IBM 宣布造出全球首颗 2nm EUV 芯片
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蓝色巨人出手就是王炸。
5 月 6 日消息，IBM 宣布造出了全球第一颗 2nm 工艺的半导体芯片。
核心指标方面，IBM 称该 2nm 芯片的晶体管密度（MTr/mm2，每平方毫米多少百万颗晶体管）为 333.33，几乎是台积电 5nm 的两倍，也比外界预估台积电 3nm 工艺的 292.21 MTr/mm2 要高。
2nm 晶圆近照
换言之，在 150 平方毫米也就是指甲盖大小面积内，就能容纳 500 亿颗晶体管。
同时，IBM 表示，在同样的电力消耗下，其性能比当前 7nm 高出 45%，输出同样性能则减少 75% 的功耗。
实际上，IBM 此前也是率先造出 7nm（2015 年）和 5nm（2017 年）芯片的厂商，在电压等指标的定义上很早就拿下主导权。
回到此次的 2nm 上，采用的是 GAA（环绕栅极晶体管）技术，三层。IBM 介绍，这是第一次使用底介电隔离通道，它可以实现 12 nm 的栅长，其内部间隔是第二代干法设计，有助于纳米片的开发。这也是第一次使用 EUV 曝光 FEOL 部分过程。
需要注意的是，IBM 并没有自己的晶圆厂，2014 年其制造工厂卖给了格芯，但两者签署了 10 年合作协议，另外，IBM 也和三星、Intel 保持合作。
关于 GAA 晶体管技术，三星 3nm、Intel 5nm 以及台积电 2nm 均将首次采用。
