三星明年逆势扩记忆体、半导体产能 将增10台EUV机台

[CathyHuang]

三星明年逆势扩记忆体、半导体产能 将增10台EUV机台。(图：AFP)(photo:CnYes)

据韩媒报导，即便全球经济放缓，三星仍计画明年扩产平泽 P3 厂，包括 12 吋 DRAM 晶片、4 奈米晶片产能，并计画明年增加至少 10 台 EUV 机台。

外媒报导，三星计画用新的设备生产 12 奈米 DRAM，待 P3 厂扩产后，DRAM 月产能将由 2 万片提升至 7 万片。P3 厂为三星在全球最大晶圆厂区，今年将生产先进 NAND Flash 晶片。

在全球经济受通膨等因素笼罩下，各大半导体厂相继缩减资本支出，以度过这波景气寒冬。美光上周才宣布 2023 年资本支出将降至 70-75 亿美元，较 2022 年的 120 亿美元大幅缩减，并暗示 2024 年将大幅调降资本支出。台积电 (2330-TW)(TSM-US) 今年 10 月法说时也宣布，2022 年资本支出将调降至少 10%。

三星先前曾表示，虽然目前市场需求减少，但因应中长期需求复甦，不考虑人为减产，今年资本支出仍预估为 54 兆韩元，按既定计画进行。由于产业缩减投资几乎已成「新趋势」，三星却不随波逐流、背道而驰，格外引起市场关注。

记忆体市场更是面临供过于求困境，但三星也表态不考虑人为减产，市场认为，三星计画利用此次产业景气遭遇寒冬之际，挟资本优势蚕食 SK 海力士、铠侠等其他大厂市占率，巩固产业领导地位。