美光和印度政府签合作备忘录 建首家在印半导体工厂

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    美光和印度政府签合作备忘录 建首家在印半导体工厂 (图:REUTERS/TPG)(photo:CnYes)
    美光和印度政府签合作备忘录 建首家在印半导体工厂 (图:REUTERS/TPG)(photo:CnYes)

    美国半导体大厂美光週三 (28 日) 和印度政府签订合作备忘录,美光将在印度古吉拉特邦 (Gujarat ) 新建一座新的晶片组装和测试厂, 这将是该公司在印度的首座工厂。

    美光这座新厂将实现 DRAM 和 NAND 产品的组装和测试制造,预计将于 2024 年开始营运,并满足满足当地需求并向南亚市场出口。

    新厂将于 2023 年开始分阶段动工。第一阶段将包括 50 万平方英尺的规划无尘室空间,2024 年底投入营运,届时将根据全球需求趋势逐步提高产能。

    美光和印度政府签合作备忘录 建首家在印半导体工厂 (图:REUTERS/TPG)(photo:CnYes)
    美光和印度政府签合作备忘录 建首家在印半导体工厂 (图:REUTERS/TPG)(photo:CnYes)

    该项目的第二阶段将在 2025 年后开始,规模和设施与第一阶段基本一致。两个阶段的投资将高达 8.25 亿美元,并将在未来几年内创造多达 5,000 个在美光新工作岗位和 15,000 个社区工作岗位。

    印度中央政府、古吉拉特邦政府计划分别提供美光建厂总成本的 50%、20%,这意味着印度政府补贴佔比高达总开支的 70%,总投资额将达到 27.5 亿美元。

    印度科技部长 Ashwini Vaishnaw 指出,这项投资将从根本上改变印度的半导体格局,并创造数以万计的高科技和建筑工作岗位,成为印度蓬勃发展的半导体生态系统的重要组成部分。

    印度建新厂计画是美光战略之一,期望满足跨市场对记忆体和储存装置的长期需求,并强化该公司的全球组装和测试网路。

    美光总裁兼执行长 Sanjay Mehrotra 表示:「我们对印度为发展当地半导体生态系统而採取的措施感到兴奋。感谢印度政府和所有相关官员使这项投资成为可能,公司在印度的新组装和测试厂,将使美光能够扩大我们的全球制造基地,并更好地为我们在印度和世界各地的客户服务。」

    美光指出选择古吉拉特邦是因为其制造基础设施发展、有利的商业环境,以及印度萨纳恩德 (Sanand) 工业区园完善的人才储备。

    美光将于週三盘后公布最新财报表现不俗,第三季每股亏损为 1.43 美元,营收为 37.5 亿美元,均优于分析师预期,美光 (MU-US) 週三收红 0.42% 至每股 67.07 美元,盘后其股价升逾 2%。