IDC：中国距离半导体先进制程技术 仍落后3、4代
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IDC：中国距离半导体先进制程技术 仍落后3、4代(图片：AFP)(photo:CnYes)据报导，市场研究机构 IDC 分析师在週三 (19 日) 表示，即使中国花费数十亿美元来建立并增强国内半导体产业，但距离实现生产先进晶片技术还有一段路要走，目前该国的制程技术仍然落后 3、4 的世代。
IDC 负责技术和半导体的副总裁 Mario Morales 在接受採访时表示：「我仍然认为，中国在先进半导体制程方面仍然落后 3、4 代。」他指出，所谓先进制程指的是 16 奈米或 14 奈米以下。其中大部分主要来自台湾和南韩，另一部分则是来自美国的英特尔 (INTC-US)。
报导中指出，台湾和南韩在高阶晶片制程方面建立了无与伦比的地位，台积电 (2330-TW) 和三星电子都已经开始量产 7 奈米晶片。
相较之下，中国在相关研发上投入更多资金，期望在该领域达到自给自足。不过，随着中、美两大国之间的紧张局势升级，美国针对华为和中芯国际等中国科技公司实施制裁，更促使中国当局加大力度，中国科技巨头阿里巴巴、腾讯、百度和美团都已经开始投资晶片研发。
但是，Morales 认为，尽管中国进行了大量投资，但该国需要先获得生产先进高阶晶片所需的软体和设备。
Morales 表示，专注于传统长尾技术的中国半导体公司表现良好，但是要发展到先进制程可能还需要 10 多年时间，才能具有竞争力。中芯国际目前有能力供应 28 奈米制程，也已经开始推出 14 奈米制程，但是，现实是他们需要客户来真正扩展这项能力，而中国生态系统却还没有开始使用这种技术。
「因此，他们需要美国合作伙伴和客户，或是来自欧洲的客户，甚至是台湾客户，才能有效地提升这项技术，从而降低他们所需的成本结构。」Morales 说道。
